CSD19538Q3AT دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
CSD19538Q3AT
|
|
حجم فایل
|
86.911
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
16
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Texas Instruments CSD19538Q3AT
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
2.8W;23W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
4.3nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
454pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
15A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.8V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
59mΩ@5A,10V
-
Package:
VSONP-8
-
Manufacturer:
Texas Instruments
